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BSC882N03LS G /MOSFET N-Ch 34V 100A SON-8
BSC882N03LS G的规格信息
BSC882N03LS G的图片

图像仅供参考，请参阅规格书

制造商:Infineon

产品种类:MOSFET

RoHS:是

技术:Si

安装风格:SMD/SMT

封装 / 箱体:TDSON-8

通道数量:1 Channel

晶体管极性:N-Channel

Vds-漏源极击穿电压:34 V

Id-连续漏极电流:100 A

Rds On-漏源导通电阻:2.2 mOhms

Vgs - 栅极-源极电压:2 V

Qg-栅极电荷:27 nC

最小工作温度:- 55 C

最大工作温度:+ 150 C

Pd-功率耗散:69 W

配置:Single

封装:Cut Tape

封装:MouseReel

封装:Reel

高度:1.27 mm

长度:5.9 mm

系列:BSC882N03

晶体管类型:1 N-Channel

宽度:5.15 mm

商标:Infineon Technologies

正向跨导 - 最小值:100 S

下降时间:9.4 ns

产品类型:MOSFET

上升时间:9 ns

工厂包装数量:5000

子类别:MOSFETs

零件号别名:BSC882N03LSGATMA1 BSC882N3LSGXT SP000686916

单位重量:76 mg

供应商BSC882N03LS G
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